Carbon Graphite Rod Black Ronn Graphite Bar Conductive Lubricating Rod
Technesch Parameter
| Artikel | Eenheet | Klass | ||||||
| Maximum Partikel |
| 2,0 mm | 2,0 mm | 0,8 mm | 0,8 mm | 25-45 μm | 25-45 μm | 6-15 μm |
| Resistenz | ≤uΩ.m | 9 | 9 | 8.5 | 8.5 | 12 | 12 | 10-12 |
| Kompressiv Kraaft | ≥Mpa | 20 | 28 | 23 | 32 | 60 | 65 | 85-90 |
| Flexural Kraaft | ≥Mpa | 9.8 | 13 | 10 | 14.5 | 30 | 35 | 38-45 |
| Bulk Dicht | g/cm3 | 1.63 | 1.71 | 1.7 | 1.72 | 1.78 | 1.82 | 1,85-1,90 |
| CET (100-600°C) | ≤×10-6/°C | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 4.5 | 4.5 | 3,5-5,0 |
| Esch | ≤% | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 250-1000 ppm | 250-1000 ppm | 150-800 ppm |
| Wärmeleitungskoeffizient | W/mk | 120 | 120 | 120 | 120 |
|
| |
Beschreiwung
Fein Partikelen hunn exzellent Konduktivitéit an Héichtemperaturresistenz a ginn haaptsächlech an der chemescher Industrie benotzt fir verschidde Clientebedürfnisser ze treffen.Juxing Carbon kann fein Partikelen no Client Ufuerderunge personaliséieren fir sécherzestellen datt se de perfekte Produkt kréien.Op der anerer Säit hu grober Partikel eng gutt Dicht a Kraaft a ginn als konduktiv Material fir mechanesch Uwendungen benotzt.
Uwendungen
Graphitstäben ginn allgemeng an Industrien wéi Raumfaart, Elektronik, Energie a Fabrikatioun benotzt.An der Raumfaartindustrie gi Graphitstäben benotzt fir Hëtztschëlder, Rakéitdüsen an aner Komponenten ze kreéieren déi héich thermesch Konduktivitéit a Kraaft erfuerderen.An der Elektronikindustrie ginn dës Staang als Elektroden, Wärmebecher an aner Komponenten benotzt, déi exzellent elektresch Konduktivitéit erfuerderen.
Virdeeler
- Fein Partikel
- Gutt elektresch Konduktivitéit
- Héich Temperatur Resistenz
- Grof Partikel
- Gutt Dicht Héich Kraaft
Mir bidden personaliséiert Schneidgréissten fir Graphitstäben ze fabrizéieren déi Är spezifesch Ufuerderungen entspriechen.Mat eiser staarker Produktiounskapazitéit kënne mir eng breet Palette vu Produktdiameter liwweren, déi vu 50mm bis 1200mm variéieren.
Wann Dir Graphitstäben auswielt, ass et wichteg hir Eegeschaften a Fäegkeeten ze berücksichtegen.Verschidden Zorte vu graphite Matière première wäert zu variéieren Eegeschaften am Finale Produit Resultat.Zum Beispill sinn natierlech Graphitstäbchen bekannt fir hir héich Konduktivitéit, während synthetesch Graphitstäben eng méi héich Kraaft an Haltbarkeet hunn.
Zesummenhang Produiten
-
Silicon Carbide Graphite Crucible Fir Schmelzen M ...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Inhalt Tempeatue esistance Cabon Inhalt Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Note of all aw mateial der Cucible accoding Customes Equiement ze poduce.Silicon Cabide Cucible Virdeeler Héich Strength Gutt themal Konduktivitéit Low themal Expansioun Héich Hëtztbeständegkeet Héich Strength ...
-
High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Kältekräizkraaft ≥100MPa SiO₂ ≤10% Scheinbar Porositéit ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperaturbeständegkeet ≥1700°C ≥1700°C Beschreiwung ≥1700°C Bulk Density Exzellent thermesch Konduktivitéit --- Et huet exzellent thermesch ...
-
Silicon Graphite Crucible Fir Metal Schmelzen Cla ...
Technesch Parameter Fir Clay Graphite Crucible SIC C Modul vun Ruptur Temperatur Resistenz Bulk Dicht Scheinbar Porositéit ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Notiz: Mir kënnen den Inhalt vun all Crucw Material upassen no Client Ufuerderunge.Beschreiwung D'Graphit, déi an dëse Kreeser benotzt gëtt, gëtt normalerweis gemaach ...
-
Carbon Blocks Extruded Graphite Blocks Edm Isos...
Technesch Parameter Physikalesch a chemesch Indizes Fir Graphite Block Element Eenheet GSK TSK PSK Granule mm 0,8 2,0 4,0 Dicht g/cm3 ≥1,74 ≥1,72 ≥1,72 Resistivitéit μ Ω.m ≤7,5 ≥8 ≤8. 35 ≥34 Äsche % ≤0.3 ≤0.3 ≤0.3 Elastesche Modul Gpa ≤8 ≤7 ≤6 CTE 10-6/℃ ≤3 ≤2.5 ≤2 Flexural Stäerkt Mpa 15 14.5 ≥ Porositéit % .
-
Silicon Carbide Sic GRAPHITE Kéis fir Schmelz ...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Kältekräizkraaft ≥100MPa SiO₂ ≤10% Scheinbar Porositéit ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperaturbeständegkeet ≥1700°C ≥1700°C Beschreiwung ≥1700°C Bulk Density Als eng Zort fortgeschratt refractaire Produit, Silicon Carbide ...
