Héich Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphite Crucibles Sagger Tank
Silicon Carbide Crucible Leeschtung
| Parameter | Daten | Parameter | Daten |
| SiC | ≥85% | Kale Kraaft Kraaft | ≥100 MPa |
| SiO₂ | ≤10% | Anscheinend Porositéit | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | Temperatur Resistenz | ≥1700°C |
| Bulk Dicht | ≥2,60 g/cm³ | Mir kënnen no Client Noutwendegkeete produzéiere | |
Beschreiwung
- Exzellent thermesch Konduktivitéit --- Et huet eng exzellent thermesch an elektresch Konduktivitéit, 4 Mol méi héich wéi Edelstol, 2 Mol méi héich wéi Kuelestol, an 100 Mol méi héich wéi allgemeng kee-Metal.
- Héich Temperaturresistenz ---Graphit ass ee vun de meescht Hëtztbeständeg Materialien, déi als präsent bekannt sinn, Dëst Produkt huet eng aussergewéinlech Fäegkeet fir Temperaturen esou héich wéi 1750 °C ze widderstoen.
- Superior Korrosiounsbeständegkeet --- Et huet gutt chemesch Stabilitéit, Alkali- oder Säurebeständegkeet a Korrosiounsbeständegkeet.
- Laang Haltbarkeet --- Et ass entwéckelt fir déi haart Bedéngungen vun héijen Temperaturen a korrosive Ëmfeld ze widderstoen, fir eng optimal Leeschtung a laang Liewensdauer ze garantéieren.Dëst Attribut mécht et eng populär Wiel fir ze benotzen an Schmelzen a Raffinéierungsprozesser déi konsequent a korrekt Resultater erfuerderen.
- Héich Resistenz géint thermesch Schock --- Et huet eng eenzegaarteg Fäegkeet fir séier Temperaturännerungen ze widderstoen ouni ze knacken oder ze briechen, wat et ideal mécht fir an Uewen ze benotzen déi dacks Temperaturännerungen erliewen.
Uwendungen
Silicon Carbide Graphite Crucible ass eng populär Wiel fir chemesch Planzen, Eisen a Stol Hiersteller, Photovoltaik Kraaftproduzenten, an Atomkraaftgeneratoren ginn.Et ass och gëeegent fir ze benotzen an enger breet Palette vun Uewen wéi mëttelfrequenz, elektromagnetesch, Resistenz, Kuelekristall, a Partikeluewen wéinst senger exzellenter thermescher Konduktivitéit, héijer Temperaturbeständegkeet, super Korrosiounsbeständegkeet, a Resistenz géint thermesch Schock.
Gufan Virdeeler
Eis Siliziumkarbid GRAPHITE Kéis ass a verschiddene Gréissten a Formen verfügbar fir verschidden Uwendungen ze passen.Mir wëllen eist Bescht probéieren fir de perfekte Krees fir Clienten iwwer hir spezifesch Bedierfnesser ze liwweren, fir Effizienz a Genauegkeet an hire Prozesser ze garantéieren.
Instruktiounen a Virsiichtegkeet fir Graphit Crucible
Graphite Crucible ass en aussergewéinlecht Produkt fir industriell Uwendungen.Follegt dës vital Instruktiounen a Virsiichtsmoossname fir d'Längegkeet an d'effizient Leeschtung vun der GRAPHITE Kéis ze garantéieren.
- Vermeiden all mechanesch Impakt op GRAPHITE Kräizer.
- Vermeit d'Kraaft vun enger héijer Plaz ze falen oder ze schloen.
- Halen GRAPHITE Crucible ewech Feuchtigkeit Plaz.
- Graphit Krügel sinn net waasserdicht, no der Trocknung, beréieren net d'Waasser.
- Benotzt e ronnen Mondfleck oder feine Sandpapier fir all Reschter ze botzen.
- Benotzt e ronnen Mondfleck oder feine Sandpapier fir all Reschter ze botzen.
- Benotzt d'Kraaft fir d'éischt Kéier, huelt et lues a lues a lues d'Hëtzt mat der Zäit erop.
Zesummenhang Produiten
-
Silicon Carbide Graphite Crucible Fir Schmelzen M ...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Inhalt Tempeatue esistance Cabon Inhalt Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Note of all aw mateial der Cucible accoding Customes Equiement ze poduce.Silicon Cabide Cucible Virdeeler Héich Strength Gutt themal Konduktivitéit Low themal Expansioun Héich Hëtztbeständegkeet Héich Strength ...
-
Silicon Graphite Crucible Fir Metal Schmelzen Cla ...
Technesch Parameter Fir Clay Graphite Crucible SIC C Modul vun Ruptur Temperatur Resistenz Bulk Dicht Scheinbar Porositéit ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Notiz: Mir kënnen den Inhalt vun all Crucw Material upassen no Client Ufuerderunge.Beschreiwung D'Graphit, déi an dëse Kreeser benotzt gëtt, gëtt normalerweis gemaach ...
-
Silicon Carbide Sic GRAPHITE Kéis fir Schmelz ...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Kältekräizkraaft ≥100MPa SiO₂ ≤10% Scheinbar Porositéit ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperaturbeständegkeet ≥1700°C ≥1700°C Beschreiwung ≥1700°C Bulk Density Als eng Zort fortgeschratt refractaire Produit, Silicon Carbide ...
