• head_banner

Silicon Carbide Sic GRAPHITE Kéis fir Metall mat héijer Temperatur ze schmëlzen

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide (SiC) Crucibles sinn Premium-Qualitéit Schmelzhäre entwéckelt fir aussergewéinlech Leeschtung a verschiddenen industriellen Uwendungen ze bidden.Dës Crucibles si speziell konstruéiert fir héich Temperaturen vu bis zu 1600 ° C (3000 ° F) ze widderstoen, wat se ideal mécht fir Edelmetaller, Basismetaller a verschidde aner Produkter ze schmëlzen an ze raffinéieren.


Produit Detailer

Produit Tags

Silicon Carbide Crucible Leeschtung

Parameter

Daten

Parameter

Daten

SiC

≥85%

Kale Kraaft Kraaft

≥100 MPa

SiO₂

≤10%

Anscheinend Porositéit

≤%18

Fe₂O₃

<1%

Temperatur Resistenz

≥1700°C

Bulk Dicht

≥2,60 g/cm³

Mir kënnen no Client Noutwendegkeete produzéiere

Beschreiwung

Als eng Aart vun fortgeschratt refractaire Produit, Silicon Carbide GRAPHITE Crucible ass déi ideal refractaire Material an der Pudder Metallurgy Industrie (grousse Schwamm Eisen Tunnel Uewen).D'Silicon Carbide GRAPHITE Crucible produzéiert vun Rongsheng Group benotzt 98% héich-Schouljoer Silicon Carbide GRAPHITE Matière première, an e spezielle Prozess ass zu der Auswiel vun Matière première dobäi fir déi héich Rengheet vun Matière première ze garantéieren.

Silicon Carbide GRAPHITE Kéis ass wäit an der chemescher Industrie benotzt, negativ Material a Schwamm Eisen, Metal Schmelzen, photovoltaic Muecht Generatioun, Atomkraaftwierk Feld a verschidden Schmelzhäre, wéi mëttel- Frequenz Uewen, elektromagnéiteschen Uewen, Resistenz Uewen, Kuelestoff Kristallsglas produzéiert Schmelzhäre, Partikel Uewen, etc.

Uwendungen

Silicon Carbide Graphite Crucible ass eng populär Wiel fir chemesch Planzen, Eisen a Stol Hiersteller, Photovoltaik Kraaftproduzenten, an Atomkraaftgeneratoren ginn.Et ass och gëeegent fir ze benotzen an enger breet Palette vun Uewen wéi mëttelfrequenz, elektromagnetesch, Resistenz, Kuelekristall, a Partikeluewen wéinst senger exzellenter thermescher Konduktivitéit, héijer Temperaturbeständegkeet, super Korrosiounsbeständegkeet, a Resistenz géint thermesch Schock.

Gufan Sic Crucible Virdeeler

Silicon Carbide graphite Crucible produzéiert vum Gufan Carbon Co.Ltd.hunn d'Charakteristike vu gudder Flexibilitéit, net einfach ze knacken, a laang Liewensdauer, an och déi grouss Kapazitéit vum Sagger erhéicht d'Ausgab, garantéiert d'Qualitéit, spuert Aarbecht a vill Käschten.

Instruktiounen a Virsiichtegkeet fir Graphit Crucible

Silicon Carbide Crucible Operatioun Leedung


  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift äre Message hei a schéckt en un eis

    Zesummenhang Produiten

    • Silicon Carbide Graphite Crucible Fir Schmelze Metaller Uewen Graphite Crucibles

      Silicon Carbide Graphite Crucible Fir Schmelzen M ...

      Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Inhalt Tempeatue esistance Cabon Inhalt Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Note of all aw mateial der Cucible accoding Customes Equiement ze poduce.Silicon Cabide Cucible Virdeeler Héich Strength Gutt themal Konduktivitéit Low themal Expansioun Héich Hëtztbeständegkeet Héich Strength ...

    • Héich Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphite Crucibles Sagger Tank

      High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...

      Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Kältekräizkraaft ≥100MPa SiO₂ ≤10% Scheinbar Porositéit ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperaturbeständegkeet ≥1700°C ≥1700°C Beschreiwung ≥1700°C Bulk Density Exzellent thermesch Konduktivitéit --- Et huet exzellent thermesch ...

    • Silicon Graphite Crucible Fir Metal Schmelze Clay Crucibles Goss Stol

      Silicon Graphite Crucible Fir Metal Schmelzen Cla ...

      Technesch Parameter Fir Clay Graphite Crucible SIC C Modul vun Ruptur Temperatur Resistenz Bulk Dicht Scheinbar Porositéit ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Notiz: Mir kënnen den Inhalt vun all Crucw Material upassen no Client Ufuerderunge.Beschreiwung D'Graphit, déi an dëse Kreeser benotzt gëtt, gëtt normalerweis gemaach ...